中国光刻机最新进展

中国光刻机最新进展

中国光刻机领域在2025年取得了一系列重要进展，涵盖传统光刻机技术突破、新型光刻技术探索以及产业链协同创新等方面，以下是关键信息梳理：

传统光刻机技术突破

上海微电子（SMEE）：其28纳米浸没式光刻机已实现80%良率，成本仅为进口设备的1/7，并通过多次曝光试产7纳米芯片。2025年1月，首台国产28纳米光刻机交付国内顶级芯片工厂，打破ASML在DUV光刻机领域的垄断。

杭州璞璘科技：研发的纳米压印光刻机支持10纳米工艺，适用于存储芯片制造，能耗仅为EUV技术的10%。

新型光刻技术探索

电子束光刻机：浙江大学研发的“羲之”电子束光刻机精度达0.6nm，线宽8nm，可用于量子芯片制造，打破国外技术封锁。

喷墨步进式纳米压印设备：璞璘科技的PL-SR系列设备线宽小于10nm，超越日本佳能同类产品，实现国产替代。

产业链协同创新

核心部件国产化：国内企业在光源、光学镜头、工件台等关键部件取得突破，如科益虹源研发准分子激光光源，国望光学研发光刻机曝光光学系统。

光刻胶配套技术：北京大学彭海琳教授团队通过冷冻电子断层扫描技术，解析光刻胶分子微观行为，显著减少光刻缺陷，为先进制程良率提升提供理论支持。

市场应用与产业化进展

稳顶聚芯：深圳稳顶聚芯技术有限公司推出WS180I系列步进式光刻机，覆盖0.3μm-1.5μm分辨率，应用于化合物半导体领域，实现国产高精度光刻机量产。

先进封装光刻机：上海芯上微装（SMEE子公司）交付第500台步进光刻机，全球市占率35%，国内市占率90%，推动先进封装工艺发展。

总结：中国光刻机技术正从传统DUV光刻机的量产突破，向EUV光刻机研发、新型光刻技术（如电子束光刻、纳米压印）多点发力，同时通过产业链协同创新提升核心部件自主化率。尽管与国际领先水平仍有差距，但国产光刻机在成熟制程领域已实现规模化应用，并逐步向先进制程迈进。

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